華虹無錫半導體—FAB生產(chǎn)廠房潔凈室裝修和一般機電工程項目
建設單位:華虹無錫半導體
項目地點:江蘇省無錫市
服務內容:深化設計
項目投資:100億美元(一期25億美元)
建設規(guī)模:總用地面積466485㎡;一期建筑面積63222㎡;一期潔凈室面積32450㎡
建設周期:2018-2019
項目產(chǎn)品:12英寸芯片(90-65nm)
項目產(chǎn)能:40K片/月
分類:
建設單位:華虹無錫半導體
項目地點:江蘇省無錫市
服務內容:深化設計
項目投資:100億美元(一期25億美元)
建設規(guī)模:總用地面積466485㎡;一期建筑面積63222㎡;一期潔凈室面積32450㎡
建設周期:2018-2019
項目產(chǎn)品:12英寸芯片(90-65nm)
項目產(chǎn)能:40K片/月
400 892 1298
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